本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种TVS二极管。
背景技术：
二极管的分类有很多种，其中一种是TVS二极管(瞬态电压抑制二极管)，该类二极管在反向应用条件下，当所加电压在一定范围内变化时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值，把电压籍位到预定电压，从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。现有技术中，通常采用纸源两次扩散单个结的生产工艺生产TVS二极管芯片，其存在问题是:使用单个扩散结生产TVS二极管芯片时，反向击穿时，台面的表面击穿电压低于体内击穿电压，造成表面击穿先于体内击穿，击穿电流集中分布在台面附近，台面由硅与玻璃层组成，相互应力较大，造成反向击穿漏电较大。因为漏电变大造成结温升高，产品可靠性变差等问题。还有，由于二极管焊接到电路板上时，需要将引线弯折，这样就极易引起引线内部出现断裂、松动，使得产品失去电连接性能而成为废品。
技术实现要素：
为了解决上述背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种TVS二极管。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种TVS二极管，包括壳体，所述壳体内设有芯片，且芯片由N型半导体和P型半导体组成，N型半导体和P型半导体的交界处形成PN结，所述N型半导体和P型半导体的外壁一侧均焊接有合金层，且合金层的外壁一侧通过金属触点焊接有引线，所述壳体内填充有保护胶，所述引线穿过壳体的内壁向外延伸，且引线的外壁套接有环形限位块，壳体的内壁设有与环形限位块对应的环形限位槽，所述壳体的下端外壁固定连接有两个对称的凹槽，且凹槽内通过弹簧固定连接有凸起，所述壳体的上端外壁内设有与卡块对应的卡接槽。
优选地，所述N型半导体和P型半导体交界处形成的PN结的横截面为锯齿状。
优选地，所述保护胶为环氧树脂制成。
优选地，所述引线弯曲90度并穿过壳体的侧壁向外延伸。
优选地，所述壳体的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：N型半导体和P型半导体交界处形成的PN结的横截面为锯齿状，通过增加PN结的面积，提升整体芯片的性能，提高耐击穿能力，而N型半导体和P型半导体的外壁一侧均通过冶金熔焊有合金层，使得结构更加稳固，合金层的外壁一侧通过金属触点连接有引线，由于引线弯曲90度并穿过壳体的侧壁向外延伸，无需再次人工弯曲，减少引线的弯曲损耗，同时在引线的外壁套接有环形限位块，能够有效避免引线出现拉扯时而导致芯片的拉伤和断裂，同时将卡块插接至另一个二极管上的卡接槽内，实现多个二极管的串联使用。本实用新型结构简单，易操作，实现了多个二极管的串联使用，同时有效避免了芯片的断裂和损伤。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型A结构放大示意图。
图中：壳体1、保护胶2、N型半导体3、P型半导体4、合金层5、金属触点6、引线7、环形限位块8、环形限位槽9、阻燃层10、卡接槽11、卡块12、凸起13、凹槽14、弹簧15。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-2，一种TVS二极管，包括壳体1，壳体1内设有芯片，且芯片由N型半导体3和P型半导体4组成，N型半导体3和P型半导体4的交界处形成PN结，N型半导体3和P型半导体4的外壁一侧均焊接有合金层5，且合金层5的外壁一侧通过金属触点6焊接有引线7，壳体1内填充有保护胶2，引线7穿过壳体1的内壁向外延伸，且引线7的外壁套接有环形限位块8，壳体1的内壁设有与环形限位块8对应的环形限位槽9，壳体1的下端外壁固定连接有两个对称的凹槽14，且凹槽14内通过弹簧15固定连接有凸起13，壳体1的上端外壁内设有与卡块12对应的卡接槽11。
具体的，N型半导体3和P型半导体4交界处形成的PN结的横截面为锯齿状，通过增加PN结的面积，提升整体芯片的性能，提高耐击穿能力。
具体的，保护胶2为环氧树脂制成，能够起到有效的保护作用。
具体的，引线7弯曲90度并穿过壳体1的侧壁向外延伸，无需再次人工弯曲，减少引线7的弯曲损耗。
具体的，壳体1的外表面涂覆有阻燃层10，且阻燃层10包括水性聚氨酯阻燃涂料层，可以阻止二极管发生自燃现象，提高了二极管的安全性。
工作原理：本实用新型中，N型半导体3和P型半导体4交界处形成的PN结的横截面为锯齿状，通过增加PN结的面积，提升整体芯片的性能，提高耐击穿能力，而N型半导体3和P型半导体4的外壁一侧均通过冶金熔焊有合金层5，使得结构更加稳固，合金层5的外壁一侧通过金属触点6连接有引线7，由于引线7弯曲90度并穿过壳体1的侧壁向外延伸，无需再次人工弯曲，减少引线7的弯曲损耗，同时在引线7的外壁套接有环形限位块8，能够有效避免引线7出现拉扯时而导致芯片的拉伤和断裂，同时将卡块12插接至另一个二极管上的卡接槽11内，实现多个二极管的串联使用。
以上，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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